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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | BASE | 最大集电极电流 (IC)： | 6.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | S BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 2000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SD1887E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, |
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| SD1888 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN, |
|
| SD1888-03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.6 GHz SATCOM APPLICATIONS |
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| SD1888E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN, |
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| SD18-8R2 | COOPER |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 8.2uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP |
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| SD18-8R2-R | COOPER |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 8.2uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2020, ROHS COMPLIANT |
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| SD188SBWS | SEMTECH |
获取价格 |
SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| SD1891 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN |
|
| SD1891-03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.6 GHz SATCOM APPLICATIONS |
|
| SD1891E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN, |
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