SD1891-03

更新时间： 2024-11-15 22:50:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波局域网通信
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.6 GHz SATCOM APPLICATIONS

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SD1891-03 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	1.1 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	8.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SD1891-03 数据手册

SD1891-03

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

1.6 GHz SATCOM APPLICATIONS

1.65 GHz

28 VOLTS

GOLD METALLIZED SYSTEM

POLYSILICON SITE BALLASTING

OVERLAY DIE GEOMETRY

HIGH RELIABILITY AND RUGGEDNESS

P_OUT5.0 W MIN. WITH 14.0 dB GAIN

.230 2LFL (M151)

hermetically sealed

ORDER CODE

SD1891-03

BRANDING

1891-03

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The SD1891-03 is a 28 V silicon NPN transistor

designed for INMARSAT and other 1.6 GHz SAT-

COM applications. This device utilizes polysilicon

site ballasting with a gold metallized die to achieve

high reliability and ruggedness.

1. Collector

2. Emitter

3. Base

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

3.5

1.1

P_DISS

T_J

Power Dissipation

8.8

Junction Temperature

Storage Temperature

+200

T_STG

65 to +200

20.0

−

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

°C/W

1/5

March 1993

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SD1891E3	MICROSEMI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN,
SD1893	SEMICOA	获取价格	Chip Type 2C1893 Geometry 4500 Polarity NPN
SD1893-03	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.6 GHZ SATCOM APPLICATIONS
SD1893E3	MICROSEMI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
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