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SD1891

更新时间: 2024-11-16 21:20:39
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美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 602K
描述
RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN

SD1891 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):1.1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):15
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
JESD-609代码:e0端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):8.8 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1650 MHz
Base Number Matches:1

SD1891 数据手册

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