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SD1868

更新时间: 2024-09-29 21:21:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 672K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN,

SD1868 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:BASE
最大集电极电流 (IC):5.2 A集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):58.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):1600 MHzBase Number Matches:1

SD1868 数据手册

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