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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBAS16XV2T1G
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SBAS16XV2T1G

更新时间： 2024-12-01 12:46:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 128K
描述
Switching Diode

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SBAS16XV2T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：0.91
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：980458Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Small Outline Diode Flat Lead
Samacsys Footprint Name：SOD?523__Samacsys Released Date：2019-10-10 11:08:30
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.715 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SBAS16XV2T1G 数据手册

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BAS16XV2T1,  
BAS16XV2T5,  
SBAS16XV2T1G  
Switching Diode  
Features  
http://onsemi.com  
• High−Speed Switching Applications  
• Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)  
• Qualified Reflow Temperature: 260°C  
• Extremely Small SOD−523 Package  
1
2
CATHODE  
ANODE  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
• Pb−Free Packages are Available  
2
MARKING  
DIAGRAM  
1
SOD−523  
CASE 502  
PLASTIC  
A6 MG  
MAXIMUM RATINGS  
G
1
2
Rating  
Symbol  
Value  
75  
Unit  
V
A6 = Specific Device Code  
Continuous Reverse Voltage  
Continuous Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
Repetitive Peak Forward Current  
Non−Repetitive Peak Forward Current  
V
R
M
= Date Code  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
I
F
200  
500  
500  
mA  
mA  
mA  
A
I
FM(surge)  
I
FRM  
ORDERING INFORMATION  
I
FSM  
(Square Wave, T = 25°C prior to surge)  
J
Device  
Package  
Shipping†  
t = 1 ms  
t = 1 ms  
t = 1 s  
4.0  
1.0  
0.5  
BAS16XV2T1  
SOD−523 3000 / Tape & Reel  
BAS16XV2T1G  
SOD−523 3000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings  
are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating  
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
BAS16XV2T5G  
SOD−523 8000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
SBAS16XV2T1G SOD−523 3000 /T ape & Reel  
(Pb−Free)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Total Device Dissipation, (Note 1)  
P
D
200  
mW  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.57  
635  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
1. FR-5 Minimum Pad.  
R
θ
JA  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
October, 2011 − Rev. 6  
BAS16XV2T1/D  
 
1234

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 		0.2A, 250V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
SBAS21LT1G ONSEMI

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