SB16150CT

更新时间： 2024-01-13 20:20:08

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描述
16A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB16150CT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220A, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.67
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.92 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	16 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	150 V	最大反向电流：	200 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

SB16150CT 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SB16150CT

16A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring for Transient Protection

Low Forward Voltage Drop

Low Reverse Leakage Current

High Surge Current Capability

Plastic Material has UL Flammability

Classification 94V-O

TO-220

Min

Dim

Max

15.90

10.70

3.43

13.90

9.80

2.54

PIN1

3.56

4.56

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ D

12.70

0.51

14.73

0.96

3.55 Ø

5.75

4.09 Ø

6.85

Mechanical Data

Case: TO-220, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: See Diagram

Weight: 2.24 grams (approx.)

4.16

5.00

2.03

2.92

0.30

0.65

1.14

1.40

2.29

2.79

Mounting Position: Any

All Dimensions in mm

Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

PIN 1 -

PIN 3 -

Case, PIN 2

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

SB16150CT

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

150

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

105

Average Rectified Output Current

@T_C= 95°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC Method)

FSM

150

Forward Voltage

@I_F= 8.0A

V^FM

I^RM

0.92

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

0.5

100

Typical Junction Capacitance (Note 1)

C^j

700

°C

Operating and Storage Temperature Range

T^j, T^STG

-65 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

SB16150CT

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SB16150DC-T3-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 150V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS CO
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