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SB16200F-LF

更新时间： 2024-01-21 19:10:19
品牌 Logo 应用领域
WTE 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220A, 2 PIN

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SB16200F-LF 技术参数

生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220A, 2 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.44
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.92 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：16 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：200 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE

SB16200F-LF 数据手册

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®
SB16150F – SB16200F  
16A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
B
Guard Ring for Transient Protection  
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Current Capability  
Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
ITO-220A  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.60  
9.70  
2.55  
—
Max  
15.40  
10.30  
2.85  
G
A
E
PIN1  
3
4.16  
D
13.00  
0.30  
3.00 Ø  
6.30  
4.20  
2.50  
0.36  
2.60  
4.83  
13.80  
0.90  
F
G
H
I
3.50 Ø  
6.90  
Mechanical Data  
F
Case: ITO-220A, Full Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.9 grams (approx.)  
4.80  
P
J
2.90  
K
L
0.80  
I
3.30  
P
5.33  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 0.6 N.m Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1  
PIN 3  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
SB16150F  
SB16200F  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
150  
105  
200  
140  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TC = 100°C  
16  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
VFM  
150  
A
V
Forward Voltage  
@IF = 16A, TJ = 25°C  
@IF = 16A, TJ = 125°C  
0.92  
0.82  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ = 25°C  
@TJ = 100°C  
0.2  
10  
IRM  
CJ  
mA  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
200  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Thermal Resistance Junction to Case  
RθJA  
RθJC  
75  
4.0  
°C/W  
RMS Isolation Voltage Terminals to Case, t = 1 min  
Operating and Storage Temperature Range  
VISO  
1500  
V
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
1234

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