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SB1620CT

更新时间： 2024-11-09 08:54:07
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2页 104K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE: 20 TO 60V CURRENT: 16.0A

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SB1620CT 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.47
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：20 V
最大反向电流：1000 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SB1620CT 数据手册

 浏览型号SB1620CT的Datasheet PDF文件第2页 
SB1620CT THRU SB1660CT  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
VOLTAGE: 20 TO 60V  
CURRENT: 16.0A  
TO-220AB  
FEATURE  
High current capability, Low forward voltage drop  
Low power loss, high efficiency  
High surge capability  
High temperature soldering guaranteed  
250°C /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension  
MECHANICAL DATA  
Terminal: Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame  
Retardant Epoxy  
Polarity: Common Cathode  
Mounting position: any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)  
SB16  
20CT  
20  
SB16  
30CT  
30  
SB16  
35CT  
35  
SB16  
40CT  
40  
SB16  
45CT  
SB16  
50CT  
SB16  
60CT  
SYMBOL  
units  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Vrrm  
Vrms  
Vdc  
45  
32  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
V
V
V
14  
20  
21  
30  
25  
35  
28  
40  
Maximum DC blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
Current  
If(av)  
16  
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
Ifsm  
Vf  
150  
A
V
0.65  
0.75  
Maximum Forward Voltage at 8.0A  
1.0  
3.0  
mA  
mA  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Ta =25°C  
Ta =100°C  
Ir  
30.0  
700  
50.0  
500  
Typical Junction Capacitance  
Typical Thermal Resistance  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Ramge  
(Note 1)  
(Note 2)  
Cj  
R(ja)  
Tj  
pF  
°C/W  
°C  
-40 to +125  
-50 to +150  
Tstg  
-65 to +150  
°C  
Note:  
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc  
2. Thermal Resistance from Junction to Case  
Rev.A5  
www.gulfsemi.com  
12

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