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SB1620D-T3

更新时间： 2024-01-04 00:57:56
品牌 Logo 应用领域
WTE 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 20V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2

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SB1620D-T3 技术参数

生命周期：Active包装说明：TO-263, D2PAK-3/2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.42
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.63 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：16 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：20 V
最大反向电流：500 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SB1620D-T3 数据手册

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®
SB1620D – SB16100D  
16A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
C
Guard Ring for Transient Protection  
Low Forward Voltage Drop  
A
J
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Current Capability  
Epoxy Meet UL 94V-0 Classification  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Switching  
Power Supplies  
B
D
E
PIN 1  
2
3
G
H
K
P
P
D2 PAK/TO-263  
Mechanical Data  
Dim  
A
Min  
9.80  
9.60  
4.40  
8.50  
—
Max  
10.40  
10.60  
4.80  
9.10  
2.80  
1.40  
0.99  
1.40  
0.70  
2.75  
Case: D2PAK/TO-263, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
B
C
D
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.7 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1  
PIN 3  
E
Case, PIN 2  
G
H
1.00  
—
J
1.20  
0.30  
2.35  
K
P
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
1620D 1630D 1640D 1645D 1650D 1660D 1680D 16100D  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
14  
30  
21  
40  
28  
45  
32  
50  
35  
60  
42  
80  
56  
100  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 100°C  
16  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed  
on Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
VFM  
150  
A
V
Forward Voltage  
@IF = 16A, TJ = 25°C  
@IF = 16A, TJ = 125°C  
0.63  
0.57  
0.75  
0.65  
0.85  
0.75  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ = 25°C  
@TJ = 100°C  
0.5  
20  
IRM  
CJ  
mA  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
500  
350  
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Case (Note 2)  
RθJA  
RθJC  
73  
2.0  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2. Mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad size.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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