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SB16150FCT-LF PDF预览

SB16150FCT-LF

更新时间： 2024-01-18 20:47:51
品牌 Logo 应用领域
WTE 局域网高压二极管
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220, 3 PIN

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SB16150FCT-LF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.39其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：HIGH VOLTAGE外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.92 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：150 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SB16150FCT-LF 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
SB16150FCT – SB16200FCT  
16A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
ꢀ
Schottky Barrier Chip  
B
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Guard Ring for Transient Protection  
Low Forward Voltage Drop  
Low Reverse Leakage Current  
High Surge Current Capability  
Plastic Material has UL Flammability  
Classification 94V-O  
ITO-220  
Min  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Max  
15.40  
10.30  
2.85  
14.60  
9.70  
G
A
E
2.55  
PIN1  
2
3
2.70  
3.30  
D
13.00  
0.50  
13.80  
0.75  
F
G
H
I
3.00 Ø  
6.30  
3.50 Ø  
6.90  
Mechanical Data  
ꢀ
F
Case: ITO-220, Full Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 2.24 grams (approx.)  
4.20  
4.80  
ꢀ
P
J
2.50  
2.90  
K
L
0.50  
0.75  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
I
2.70  
3.15  
P
2.29  
2.79  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1 -  
PIN 3 -  
+
PIN 2  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
SB16150FCT  
SB16200FCT  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
150  
105  
200  
140  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TC = 95°C  
16  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
150  
0.92  
A
Forward Voltage  
@IF = 8.0A  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
@TA = 25°C  
0.5  
100  
mA  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 100°C  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Cj  
700  
pF  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
SB16150FCT – SB16200FCT  
1 of 4  
© 2008 Won-Top Electronics  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SB16150F-LF WTE Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS C

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SB1620 TRSYS 16 AMPERE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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SB1620 WON-TOP Powerpack

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