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RN1120R

更新时间: 2024-11-02 20:00:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
20A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE

RN1120R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 VJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:450 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:20 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
最大功率耗散:25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向电流:5000 µA
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

RN1120R 数据手册

  

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