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RN1130F

更新时间： 2024-01-07 16:08:05
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 94K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ESM, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1130F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.76Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

RN1130F 数据手册

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RN1130F  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1130F  
Unit: mm  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
And Driver Circuit Applications  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
With built-in bias resistors  
Simplify circuit design  
Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
Complementary to RN2130F  
Equivalent Circuit  
ESM  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
TOSHIBA  
2-2HA1A  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Weight : 2.3mg(typ.)  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
V
V
10  
V
Collector current  
I
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
C
T
150  
j
T
stg  
−55~150  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 50V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
I
I
V
V
V
V
―
―
―
―
100  
500  
72  
nA  
nA  
µA  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
CE  
E
Collector cut-off current  
= 50V, I = 0  
B
Emitter cut-off current  
DC current gain  
=10V, I = 0  
38  
100  
―
―
C
h
= 5V, I = 10mA  
―
―
FE  
CE (sat)  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Input voltage (ON)  
V
I
=5mA, I =0.25mA  
0.1  
―
0.3  
8.2  
1.6  
―
V
V
C
B
V
V
V
V
V
= 0.2V, I = 5mA  
1.7  
1.0  
―
I(ON)  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
Input voltage (OFF)  
V
I(OFF)  
= 5V, I = 0.1mA  
―
V
C
Translation frequency  
Collector output capacitance  
f
= 10V, I = 5mA  
250  
3
MHz  
pF  
T
C
C
ob  
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
E
―
―
Input resistor  
―
―
70  
100  
1.0  
130  
1.2  
kΩ  
R1  
R1/ R2  
Resistance ratio  
0.8  
1
2004-05-06  
1234

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与RN1130F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1130FT TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP Genera
RN1130MFV TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP Genera
RN1130MFV(TL3KYOCE TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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 		Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 100Kohms
RN1131FT TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP Genera
RN1131FV(TPL3) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
RN1131MFV TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP Genera
RN1131MFV(TL3,T) TOSHIBA

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 		TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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