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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | BUILIT-IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1131MFV(TL3,T) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
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| RN1131MFV(TL3PAV) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN1131MFV(TPL3) | TOSHIBA |
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Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 0ohms |
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| RN1132F | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, ESM, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1132FT | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1132FV(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| RN1132MFV | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1132MFV(TL3,T) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| RN1132MFV(TL3PAV) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN113BPC | SWITCH |
获取价格 |
Audio/RCA Connector, 3 Pole(s), Solid Lead Terminal, Jack |
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