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RN1132FT

更新时间： 2024-11-02 19:29:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 155K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1132FT 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：TESM, 2-1B1A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.74其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

RN1132FT 数据手册

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RN1131FT,RN1132FT  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1131FT,RN1132FT  
Unit: mm  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
And Driver Circuit Applications  
ꢀ
ꢀ
Extra small package(TESM) is applicable for extra high density fabrication.  
Since bias resistance is built in the transistor,the miniaturization of the  
apparatus by curtailment of the number of parts and laborsaving of an  
assembly are possible.  
ꢀ
Complementary to RN2131FT, RN2132FT  
Equivalent Circuit  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-1B1A  
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Weight:0.0022g(typ.)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
P
100  
C
T
j
150  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
V
= 50V, I = 0  
E
―
―
―
―
100  
100  
700  
0.3  
―
nA  
nA  
―
CBO  
CB  
EB  
CE  
I
= 5V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
= 5V, I = 1mA  
C
120  
―
―
FE  
Collector-emitter saturation voltage  
Translation frequency  
V
I
= 5mA, I = 0.25mA  
C B  
0.1  
250  
3
V
CE (sat)  
f
V
V
= 10V, I = 5mA  
―
MHz  
pF  
T
CE  
C
―
Collector output capacitance  
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
CB E  
―
ob  
RN1131FT  
Input resistor  
70  
140  
100  
200  
130  
260  
―
kΩ  
R1  
RN1132FT  
1
2004-05-06  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1132FV(TPL3) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
RN1132MFV TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP Genera
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