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RN1132F

更新时间： 2024-09-30 20:50:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 126K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, ESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1132F 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.49最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

RN1132F 数据手册

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RN1131F,RN1132F  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1131F,RN1132F  
Unit: mm  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
And Driver Circuit Applications  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
With built-in bias resistors  
Simplify circuit design  
Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
Complementary to RN2131F, RN2132F  
Equivalent Circuit  
ESM  
JEDEC  
JEITA  
―
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
―
TOSHIBA  
2-2HA1A  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Weight : 2.3mg(typ.)  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
P
100  
C
T
j
150  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 50V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
I
V
V
V
―
―
―
―
100  
100  
700  
0.3  
―
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
= 5V, I = 0  
EBO  
C
DC current gain  
h
FE  
= 5V, I = 1mA  
120  
―
―
C
Collector-emitter saturation voltage  
Translation frequency  
V
I
= 5mA, I = 0.25mA  
0.1  
250  
3
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
= 10V, I = 5mA  
―
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
Collector output capacitance  
C
ob  
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
E
―
6
RN1131F  
Input resistor  
70  
140  
100  
200  
130  
260  
−
kΩ  
R1  
RN1132F  
1
2004-05-06  
12345

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与RN1132F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1132FT TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP Genera
RN1132FV(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
RN1132MFV TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP Genera
RN1132MFV(TL3,T) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
RN1132MFV(TL3PAV) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN113BPC SWITCH

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 		Audio/RCA Connector, 3 Pole(s), Solid Lead Terminal, Jack
RN113FPC SWITCH

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 		Audio/RCA Connector, 3 Pole(s), Solid Lead Terminal, Jack,
RN114 ETC

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 		Current-compensated Chokes
RN114-0.3/02 ETC

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