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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1130MFV(TL3PAV) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN1130MFV(TL3SAN) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN1130MFV(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 100Kohms |
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| RN1131FT | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1131FV(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| RN1131MFV | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1131MFV(TL3,T) | TOSHIBA |
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TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
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| RN1131MFV(TL3PAV) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN1131MFV(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 0ohms |
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| RN1132F | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, ESM, 3 PIN, BIP Genera |
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