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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.78 | 型芯材料： | FERRITE |
| 直流电阻： | 0.027 Ω | 标称电感 (L)： | 700 µH |
| 电感器应用： | RF INDUCTOR | 电感器类型： | GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大额定电流： | 4 A | 形状/尺寸说明： | RECTANGULAR PACKAGE |
| 屏蔽： | NO | 表面贴装： | NO |
| 端子位置： | RADIAL | 端子形状： | WIRE |
| 测试频率： | 0.01 MHz | 容差： | 50% |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN112-4-02 | ETC |
获取价格 |
Current-compensated Chokes |
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| RN112-4-02-0M7 | Schaffner |
获取价格 |
Current-compensated Chokes |
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| RN112APC | SWITCH |
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Audio/RCA Connector, 2 Pole(s), Solid Lead Terminal, Jack, |
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| RN1130F | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ESM, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1130FT | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1130MFV | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1130MFV(TL3KYOCE | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN1130MFV(TL3PAV) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN1130MFV(TL3SAN) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN1130MFV(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 100Kohms |
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