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RN1117F

更新时间： 2024-11-02 20:49:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 190K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ESM, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1117F 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.47其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

RN1117F 数据手册

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RN1114F~RN1118F  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1114F,RN1115F,RN1116F,RN1117F,RN1118F  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
And Driver Circuit Applications  
Unit: mm  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
With built-in bias resistors.  
Simplify circuit design  
Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
Complementary to RN2114F~2118F  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
Type No.  
R
1
(kΩ)  
R (kΩ)  
2
RN1114F  
RN1115F  
RN1116F  
RN1117F  
RN1118F  
1
10  
2.2  
10  
10  
4.7  
10  
4.7  
10  
47  
ESM  
JEDEC  
―
―
JEITA  
TOSHIBA  
Weight: 0.0023g  
2-2HA1A  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
RN1114F~1118F  
Collector-emitter voltage  
RN1114F  
RN1115F  
RN1116F  
RN1117F  
RN1118F  
5
6
Emitter-base voltage  
V
7
V
EBO  
15  
25  
Collector current  
I
100  
100  
150  
−55~150  
mA  
mW  
°C  
c
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
c
RN1114F~1118F  
T
j
T
stg  
°C  
1
2005-02-10  
12345678

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与RN1117F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1117F(TE85L) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
RN1117F(TE85L,F) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
RN1117F(TPL3) TOSHIBA

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 		RN1117F(TPL3)
RN1117F(TPL3,F) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
RN1117FT TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP Genera
RN1117MFV TOSHIBA

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 		NPN Bias Resistor Built-in Transistors (BRT),
RN1117MFV(TL3,T) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
RN1118 TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1118(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General
RN1118F(TE85L) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR

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