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RN1119FV

更新时间： 2024-09-27 19:15:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 109K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1119FV 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

RN1119FV 数据手册

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RN1119FV  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1119FV  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
Unit: mm  
and Driver Circuit Applications  
1.2±0.05  
0.8±0.05  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Built-in bias resistors  
Simplified circuit design  
Reduced quantity of parts and manufacturing process  
Complementary to RN2119FV  
1
2
3
Equivalent Circuit  
1.BASE  
VESM  
2.EMITTER  
3.COLLECTOR  
JEDEC  
―
―
JEITA  
TOSHIBA  
2-1L1A  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Weight: 0.0015 g (typ.)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
V
V
0.5mm  
5
V
0.45mm  
0.45mm  
Collector current  
I
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P (Note)  
150  
C
T
150  
j
0.4mm  
T
stg  
−55~150  
Note: Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
I
I
―
V
V
V
= 50V, I = 0  
―
―
―
―
100  
100  
700  
0.3  
―
nA  
nA  
―
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
―
= 5V, I = 0  
C
EBO  
h
―
= 5V, I = 1mA  
120  
―
―
FE  
CE (sat)  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Translation frequency  
Collector output capacitance  
Input resistor  
V
―
I
= 5mA, I = 0.25mA  
0.1  
250  
3
V
C
B
f
―
V
= 10V, I = 5mA  
―
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
―
―
V
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
E
―
―
ob  
R1  
―
0.7  
1.0  
1.3  
kΩ  
1
2004-07-09  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1119MFV TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 3 PIN, BIP General Purpos
RN1119MFV(TL3PAV) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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