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RN1118

更新时间： 2024-11-01 22:43:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关驱动
页数 文件大小 规格书
8页 262K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

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RN1118 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.62其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.3 V

RN1118 数据手册

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RN1114~RN1118  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
Unit: mm  
And Driver Circuit Applications  
l With built-in bias resistors.  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
l Complementary to RN2114~2118  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
Type No.  
R (kΩ)  
1
R (kΩ)  
2
RN1114  
RN1115  
RN1116  
RN1117  
RN1118  
1
10  
10  
10  
4.7  
10  
2.2  
4.7  
10  
47  
JEDEC  
EIAJ  
―
―
TOSHIBA  
Weight: 2.4mg  
2-2H1A  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
RN1114~1118  
Collector-emitter voltage  
RN1114  
RN1115  
RN1116  
RN1117  
RN1118  
5
6
Emitter-base voltage  
V
7
V
EBO  
15  
25  
Collector current  
I
100  
100  
150  
−55~150  
mA  
mW  
°C  
c
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
c
RN1114~1118  
T
j
T
°C  
stg  
1
2001-06-07  
12345678

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与RN1118相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1118(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General
RN1118F(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
RN1118F(TPL3,F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
RN1118FT TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP Genera
RN1118FT(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
RN1118FV TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera
RN1118MFV TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP Genera
RN1118MFV(TL3,T) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
RN1118MFV(TL3PAV) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1118MFV(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms

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