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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1118MFV(TL3,T) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| RN1118MFV(TL3PAV) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN1118MFV(TPL3) | TOSHIBA |
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Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms |
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| RN1119FV | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1119MFV | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 3 PIN, BIP General Purpos |
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| RN1119MFV(TL3PAV) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN1119MFV(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
Digital Transistors Bias Resistor |
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| RN112 | ETC |
获取价格 |
Current-compensated Chokes |
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| RN1120 | STMICROELECTRONICS |
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20A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| RN112-0.4/02 | ETC |
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DROSSEL NETZ PCB 39MH 0.4A |
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