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RM50DA-6S

更新时间： 2024-09-23 21:15:19

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		快速恢复二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	51K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 50A, 300V V(RRM), Silicon,

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RM50DA-6S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PUFM-X3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.92
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PUFM-X3	最大非重复峰值正向电流：	1000 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	50 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	300 V
最大反向恢复时间：	0.2 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULES

RM50DA/CA/C1A-XXS

MEDIUM POWER, HIGH FREQUENCY USE

INSULATED TYPE

RM50DA/CA/C1A-XXS

• IDC

DC current .................................. 50A

• VRRM Repetitive peak reverse voltage

......................300/600V

• trr

Reverse recovery time .............0.4µs

• Insulated Type

APPLICATION

Free wheel use, Welder

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

53.5

43.3

C1A

φ5.3

3–M4

3.5

LABEL

Feb.1999

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM50DA-XXF	MITSUBISHI	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM50DA-XXS	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER, HIGH FREQUENCY USE INSULATED TYPE
RM50HA-20F	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 1000V V(RRM), Silicon,
RM50HA-XXF	MITSUBISHI	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM50HG-12S	MITSUBISHI	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE
RM50HG-12S	POWEREX	获取价格	Super Fast Recovery Single Diode (50 Amperes/600 Volts)
RM50HG-12S_01	MITSUBISHI	获取价格	FAST RECOVERY DIODE MODULES HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE
RM50HG-12S_09	MITSUBISHI	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE
RM50N150DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 19 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N200HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ