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RM50HG-12S_01

更新时间： 2024-09-24 07:03:47

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三菱 - MITSUBISHI		二极管快恢复二极管开关快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
3页	46K
描述
FAST RECOVERY DIODE MODULES HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

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RM50HG-12S_01 数据手册

MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULES

RM50HG-12S

HIGH SPEED SWITCHING USE

NON-INSULATED TYPE

RM50HG-12S

• IDC

DC current .................................. 50A

• VRRM Repetitive peak reverse voltage

................ 600V

• trr

Reverse recovery time .............0.2µs

• ONE ARM

• Non-Insulated Type

APPLICATION

For snubber circuit (IPM or IGBT module)

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

0.3

φ3.2 0.2

20.5MAX.

Non-Isolation side (metal)

2.5 0.3

0.2

2 0.3

0.6 0.2

5.45 0.5

Sep.2001

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM50HG-12S_09	MITSUBISHI	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE
RM50N150DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 19 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N200HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N200T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N200T7	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N200TI	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N250T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 250 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 31 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N30DN	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N60DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 65 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM50N60DFV	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 65 mOhms;Total Gate Charge (nQ)