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RECTRON | ![]() |
栅 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 341K | ![]() |
描述 | ||
Vdss (V) : 250 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 31 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 34 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 300 W;Vgs(th) (typ) : 3 V;Input Capacitance (Ciss) : 2905 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-220 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM50N30DN | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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RM50N60DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 65 mOhms;Total Gate Charge (nQ) |
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RM50N60DFV | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 65 mOhms;Total Gate Charge (nQ) |
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RM50N60IP | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 16 mOhms;Total Gate Charge (nQ) |
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RM50N60LD | RECTRON |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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RM50N60LDV | RECTRON |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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RM50N60T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 14 mOhms;Total Gate Charge (nQ) |
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RM50N60TI | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 14 mOhms;Total Gate Charge (nQ) |
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RM50P30D3 | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.3 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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RM50P30DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7 mOhms;Total Gate Charge (nQ) |
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