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RM50N150DF

更新时间： 2024-10-15 18:09:47

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
7页	235K
描述
Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 19 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 48 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 100 W;Vgs(th) (typ) : 3.5 V;Input Capacitance (Ciss) : 5200 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : DFN5X6-8L

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RM50N150DF 数据手册

RM50N150DF

N-Channel Super Trench Power MOSFET

Description

The RM50N150DF uses Super Trench technology that is

uniquely optimized to provide the most efficient high

frequency switching performance. Both conduction and

switching power losses are minimized due to an extremely

low combination of R_DS(ON)and Q_g. This device is ideal for

high-frequency switching and synchronous rectification.

General Features

ƽ V_DS=150V,I_D=50A

Schematic Diagram

R_DS(ON)<19mΩ @ V_GS=10V

ƽ Excellent gate charge x R_DS(on)product(FOM)

ƽ Very low on-resistance R_DS(on)

ƽ 175 °C operating temperature

ƽ Pb-free lead plating

ƽ 100% UIS tested

Application

ƽ DC/DC Converter

ƽ Ideal for high-frequency switching and synchronous

rectification

Top View

Bottom View

100% UIS TESTED!

100% ∆Vds TESTED!

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

50N150

RM50N150DF

DFN5X6-8L

-ꢀ

Absolute Maximum Ratings (T_C=25ćunless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V^DS

Limit

150

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

±±0

VGS

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100ć)

Pulsed Drain Current

I_D(100ć)

35.4

±00

100

0.67

±10

I_DM

P_D

Maximum Power Dissipation

Derating factor

Single pulse avalanche energy^{(Note 5)}

W/ć

E_AS

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 175

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case^{(Note ±)}

R_θJC

1.5

ć/W

±016-11

REV:O15

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RM50N200T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N200T7	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N200TI	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N250T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 250 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 31 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N30DN	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM50N60DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 65 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM50N60DFV	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 65 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM50N60IP	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 16 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM50N60LD	RECTRON	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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