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RM50N200TI

更新时间: 2024-06-27 12:13:00
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RECTRON
页数 文件大小 规格书
7页 729K
描述
Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 19 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 214 W;Vgs(th) (typ) : 3 V;Input Capacitance (Ciss) : 1598 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-220F

RM50N200TI 数据手册

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RM50N200TI  
200V N-Ch Power MOSFET  
Feature  
High Speed Power Switching  
Enhanced Body diode dv/dtcapability  
100% UIS tested  
EnhancedAvalanche Ruggedness  
Pb-free lead plating  
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PΩ  
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Application  
Synchronous Rectification in SMPS  
Hard Switching and High Speed Circuit  
Power Tools  
Drain  
Pin2  
UPS  
Gate  
Pin 1  
Motor Control  
Halogen-free  
Src  
Pin3  
3DUWꢀ1XPEHU  
RM50N200TI  
3DFNDJH  
0DUNLQJ  
50N200  
TO-220F  
TO-220F  
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2022-02/69  
REV:O  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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