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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | SNUBBER DIODE |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 4 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 最大非重复峰值正向电流： | 1000 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 50 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM50HG-12S_01 | MITSUBISHI |
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FAST RECOVERY DIODE MODULES HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE |
|
| RM50HG-12S_09 | MITSUBISHI |
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HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE |
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| RM50N150DF | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 19 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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| RM50N200HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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| RM50N200T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
|
| RM50N200T7 | RECTRON |
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Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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| RM50N200TI | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 51 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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| RM50N250T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 250 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 31 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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| RM50N30DN | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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| RM50N60DF | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 65 mOhms;Total Gate Charge (nQ) |
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