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RFP70N06

更新时间： 2024-09-12 22:43:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关PC局域网
页数 文件大小 规格书
6页 94K
描述
70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

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RFP70N06 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.3
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RFP70N06 数据手册

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RFG70N06, RFP70N06,  
RF1S70N06, RF1S70N06SM  
S E M I C O N D U C T O R  
70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel  
Enhancement-Mode Power MOSFETs  
December 1995  
Features  
Packages  
JEDEC STYLE TO-247  
SOURCE  
• 70A, 60V  
DRAIN  
• rDS(on) = 0.014Ω  
GATE  
DRAIN  
(BOTTOM  
SIDE METAL)  
• Temperature Compensated PSPICE Model  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve (Single Pulse)  
• +175oC Operating Temperature  
Description  
The RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06 and RF1S70N06SM  
are N-channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET  
process. This process, which uses feature sizes approaching  
those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting  
in outstanding performance. They were designed for use in appli-  
cations such as switching regulators, switching converters, motor  
drivers and relay drivers. These transistors can be operated  
directly from integrated circuits.  
JEDEC TO-220AB  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
PACKAGE AVAILABILITY  
PART NUMBER  
RFG70N06  
PACKAGE  
TO-247  
BRAND  
RFG70N06  
JEDEC TO-262AA  
RFP70N06  
TO-220AB  
TO-262AA  
TO-263AB  
RFP70N06  
F1S70N06  
F1S70N06  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
RF1S70N06  
DRAIN  
(FLANGE)  
RF1S70N06SM  
NOTE: When ordering use the entire part number. Add the suffix, 9A, to  
obtain the TO-263AB variant in tape and reel, e.g. RF1S70N06SM9A.  
Formerly developmental type TA49007.  
D
Symbol  
JEDEC TO-263AB  
M
A
DRAIN  
(FLANGE)  
G
GATE  
SOURCE  
S
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C, Unless Otherwise Specified  
C
RFG70N06, RFP70N06  
RF1S70N06, RF1S70N06SM  
UNITS  
Drain Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Drain Gate Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Gate Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Drain Current  
60  
60  
±20  
V
V
V
DSS  
DGR  
GS  
RMS Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
70  
A
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
Single Pulse Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E  
Refer to Peak Current Curve  
Refer to UIS Curve  
DM  
AS  
Power Dissipation  
o
T
= +25 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
150  
1.0  
-55 to +175  
W
C
D
o
o
Derate above +25 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T , T  
W/ C  
o
C
STG  
J
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper ESD handling procedures.  
File Number 3206.3  
Copyright © Harris Corporation 1995  
3-51  
123456

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RFP70N06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RFP50N06 FAIRCHILD

类似代替

 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFP30N06LE FAIRCHILD

类似代替

 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs

与RFP70N06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RFP70N06_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFP-75-10AY ANAREN

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 		Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max
RFP-75-1AY ANAREN

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 		Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max
RFP-75-20AY ANAREN

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 		Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max
RFP-75-2AY ANAREN

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 		Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max
RFP-75-30AY ANAREN

获取价格

 		Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max
RFP-75-3AY ANAREN

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 		Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max
RFP-75-4AY ANAREN

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 		Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max
RFP-75-5AY ANAREN

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 		Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max
RFP-75-6AY ANAREN

获取价格

 		Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max

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