5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.69 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 1003379 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | TO-220-3 | Samacsys Released Date： | 2019-04-17 15:40:14 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 131 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| RFP70N06 | FAIRCHILD |
类似代替  |
70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs |
|
| RFP30N06LE | FAIRCHILD |
类似代替 |
30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
|
| NTE2395 | NTE |
功能相似 |
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RFP50N06_NL | ROCHESTER |
获取价格 |
50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| RFP50N06-F102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| RFP50N06LE | INTERSIL |
获取价格 |
50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
|
| RFP5P12 | MOSPEC |
获取价格 |
P - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD - EFFECT TRANSISTORS |
|
| RFP5P12 | NJSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD - EFFECT TRANSISTORS |
|
| RFP5P15 | MOSPEC |
获取价格 |
P - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD - EFFECT TRANSISTORS |
|
| RFP5P15 | NJSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD - EFFECT TRANSISTORS |
|
| RFP-60-50TP | ANAREN |
获取价格 |
Flanged Terminations |
|
| RFP-60-50TPC | ANAREN |
获取价格 |
Flanged Terminations |
|
| RFP-60-50TPR | ANAREN |
获取价格 |
RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 6000MHz Max, 50ohm |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
