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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RFP50N06-F102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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| RFP50N06LE | INTERSIL |
获取价格 |
50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
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| RFP5P12 | MOSPEC |
获取价格 |
P - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD - EFFECT TRANSISTORS |
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| RFP5P12 | NJSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD - EFFECT TRANSISTORS |
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| RFP5P15 | MOSPEC |
获取价格 |
P - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD - EFFECT TRANSISTORS |
|
| RFP5P15 | NJSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD - EFFECT TRANSISTORS |
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| RFP-60-50TP | ANAREN |
获取价格 |
Flanged Terminations |
|
| RFP-60-50TPC | ANAREN |
获取价格 |
Flanged Terminations |
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| RFP-60-50TPR | ANAREN |
获取价格 |
RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 6000MHz Max, 50ohm |
|
| RFP-60-50TPR-S | ANAREN |
获取价格 |
Flanged Termination 60 Watts, 50Ohms |
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