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RFP60P03

更新时间： 2024-09-12 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 108K
描述
60A, 30V, Avalanche Rated, P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

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RFP60P03 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.87
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：176 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RFP60P03 数据手册

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RFG60P03, RFP60P03,  
RF1S60P03, RF1S60P03SM  
S E M I C O N D U C T O R  
60A, 30V, Avalanche Rated, P-Channel  
Enhancement-Mode Power MOSFETs  
December 1995  
Features  
Packages  
JEDEC STYLE TO-247  
SOURCE  
• 60A, 30V  
• rDS(ON) = 0.027Ω  
DRAIN  
• Temperature Compensating PSPICE Model  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
GATE  
DRAIN  
(BOTTOM  
SIDE METAL)  
• +175oC Operating Temperature  
Description  
The  
RFG60P03,  
RFP60P03,  
RF1S60P03  
and  
RF1S60P03SM P-Channel power MOSFETs are manufac-  
tured using the MegaFET process. This process, which uses  
feature sizes approaching those of LSI integrated circuits  
gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding  
performance. They were designed for use in applications  
such as switching regulators, switching converters, motor  
drivers and relay drivers. These transistors can be operated  
directly from integrated circuits.  
JEDEC TO-220AB  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
PACKAGE AVAILABILITY  
PART NUMBER  
RFG60P03  
PACKAGE  
TO-247  
BRAND  
RFG60P03  
RFP60P03  
F1S60P03  
F1S60P03  
RFP60P03  
TO-220AB  
TO-262AA  
TO-263AB  
JEDEC TO-262AA  
RF1S60P03  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
RF1S60P03SM  
DRAIN  
(FLANGE)  
NOTE: When ordering use the entire part number.  
Formerly developmental type TA49045.  
Symbol  
D
JEDEC TO-263AB  
M
A
DRAIN  
(FLANGE)  
G
GATE  
SOURCE  
S
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C  
C
RFG60P03, RFP60P03,  
RF1S60P03, RFS60P03SM  
UNITS  
Drain Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
-30  
-30  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
DGR  
Gate Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Drain Current  
GS  
RMS Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
60  
A
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Refer to Peak Current Curve  
Refer to UIS Curve  
DM  
Single Pulse Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .E  
AS  
Power Dissipation  
o
T
= +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
176  
1.17  
W
C
D
o
o
Derate above +25 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P  
W/ C  
T
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T , T  
-55 to +175  
C
J
STG  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper ESD handling procedures.  
File Number 3951.1  
Copyright © Harris Corporation 1995  
4-51  
123456

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