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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 45 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RF1S17N06LSM | RENESAS |
获取价格 |
17A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| RF1S17N06LSM9A | RENESAS |
获取价格 |
17A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| RF1S22N10SM | INTERSIL |
获取价格 |
22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| RF1S22N10SM | FAIRCHILD |
获取价格 |
22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| RF1S22N10SM9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| RF1S23N06LE | RENESAS |
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23A, 60V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
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| RF1S23N06LESM | RENESAS |
获取价格 |
23A, 60V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| RF1S23N06LESM96 | RENESAS |
获取价格 |
RF1S23N06LESM96 |
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| RF1S23N06LESM9A | RENESAS |
获取价格 |
23A, 60V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| RF1S25N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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