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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.28 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 120 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 100 ns | 最大开启时间（吨）： | 80 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RF1S30P05SM | INTERSIL |
获取价格 |
30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S30P05SM9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
|
| RF1S30P06 | INTERSIL |
获取价格 |
30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S30P06SM | INTERSIL |
获取价格 |
30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S30P06SM9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
|
| RF1S40N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S40N10LE | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| RF1S40N10LESM | INTERSIL |
获取价格 |
40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S40N10LESM9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
|
| RF1S40N10SM | FAIRCHILD |
获取价格 |
40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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