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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 42 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 42 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 90 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 66 ns | 最大开启时间（吨）： | 60 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RF1S42N03SM9A | RENESAS |
获取价格 |
42A, 30V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| RF1S45N02L | INTERSIL |
获取价格 |
45A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel Logic Level Power MOSFETs |
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| RF1S45N02LSM | INTERSIL |
获取价格 |
45A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel Logic Level Power MOSFETs |
|
| RF1S45N02LSM9A | RENESAS |
获取价格 |
45A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| RF1S45N03L | INTERSIL |
获取价格 |
45A, 30V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S45N03LSM | INTERSIL |
获取价格 |
45A, 30V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S45N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs |
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| RF1S45N06LE | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| RF1S45N06LE | ROCHESTER |
获取价格 |
45A, 60V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
|
| RF1S45N06LESM | INTERSIL |
获取价格 |
45A, 60V, 0.028 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
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