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RF1S50N06LESM

更新时间： 2024-11-13 21:15:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	460K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,

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RF1S50N06LESM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	142 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RF1S50N06LESM 数据手册

RFG50N06LE, RFP50N06LE, RF1S50N06LESM

Data Sheet

October 1999

File Number 4072.3

50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level

N-Channel Power MOSFETs

Features

• 50A, 60V

Title These N-Channel enhancement mode power MOSFETs are

• r = 0.022Ω

DS(ON)

manufactured using the latest manufacturing process

FG5

06L

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

technology. This process, which uses feature sizes

approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization

of silicon, resulting in outstanding performance. They were

P50

designed for use in applications such as switching

6LE

regulators, switching converters, motor drivers, and relay

drivers. These transistors can be operated directly from

integrated circuits.

• 175 C Operating Temperature

• Related Literature

1S5

06L

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA49164.

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

FG50N06L

RFG50N06LE

TO-247

RFP50N06LE

TO-220AB

TO-263AB

FP50N06L

F50N06LE

gic

vel

RF1S50N06LESM

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the sufﬁx 9A

to obtain the TO-263AB variant in tape and reel, i.e.

RF1S50N06LESM9A.

an-

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

JEDEC TO-220AB

wer

OS-

Ts)

SOURCE

DRAIN

SOURCE

DRAIN

GATE

utho

DRAIN

(BOTTOM

SIDE METAL)

DRAIN (FLANGE)

ey-

rds

ter-

rpo-

on,

gic

JEDEC TO-263AB

vel

DRAIN

(FLANGE)

GATE

an-

SOURCE

wer

OS-

RFG50N06LE, RFP50N06LE, RF1S50N06LESM Rev. A

12 3 4 5 6 7 8

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与RF1S50N06LESM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RF1S50N06LESM9A	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RF1S50N06SM	INTERSIL	获取价格	50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S50N06SM	FAIRCHILD	获取价格	50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S50N06SM9A	RENESAS	获取价格	50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
RF1S50N06SM9A	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RF1S50N06SM9A	ROCHESTER	获取价格	50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
RF1S530	RENESAS	获取价格	RF1S530
RF1S530SM	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-263AB
RF1S530SM9A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-263AB
RF1S540	ROCHESTER	获取价格	28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA

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