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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> RF1S70N03
RF1S70N03 PDF预览

RF1S70N03

更新时间： 2024-11-12 22:10:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 592K
描述
70A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

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RF1S70N03 数据手册

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RFP70N03, RF1S70N03,  
RF1S70N03SM  
S E M I C O N D U C T O R  
70A, 30V, Avalanche Rated N-Channel  
Enhancement-Mode Power MOSFETs  
December 1995  
Features  
Packages  
JEDEC TO-220AB  
• 70A, 30V  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
• rDS(ON) = 0.010Ω  
• Temperature Compensating PSPICE Model  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve (Single Pulse)  
• +175oC Operating Temperature  
DRAIN  
(FLANGE)  
JEDEC TO-262AA  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
Description  
The RFP70N03, RF1S70N03, and RF1S70N03SM N-Chan-  
nel power MOSFETs are manufactured using the MegaFET  
process. This process, which uses feature sizes approach-  
ing those of LSI integrated circuits gives optimum utilization  
of silicon, resulting in outstanding performance. They were  
designed for use in applications such as switching regula-  
tors, switching converters, motor drivers, relay drivers and  
emitter switches for bipolar transistors. These transistors  
can be operated directly from integrated circuits.  
DRAIN  
(FLANGE)  
JEDEC TO-263AB  
M
A
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
PACKAGE AVAILABILITY  
SOURCE  
PART NUMBER  
RFP70N03  
PACKAGE  
TO-220AB  
BRAND  
RFP70N03  
F1S70N03  
F1S70N03  
Symbol  
RF1S70N03  
TO-262AA  
TO-263AB  
D
RF1S70N03SM  
NOTE: When ordering use the entire part number. Add the suffix,  
9A, to obtain the TO-263AB variant in tape and reel, e.g.  
RF1S70N03SM9A.  
G
Formerly developmental type TA49025.  
S
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C, Unless Otherwise Specified  
C
RFP70N03, RF1S70N03,  
RF1S70N03SM  
UNITS  
Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V  
30  
30  
V
V
V
DSS  
Drain-Gate Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
DGR  
Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Continuous Drain Current  
±20  
GS  
RMS Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
70  
200  
A
A
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
DM  
Single Pulse Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .E  
(Refer to UIS Curve)  
AS  
Power Dissipation  
o
T
= +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
150  
1.0  
W
C
D
o
o
Above T = +25 C, Derate Linearly . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P  
W/ C  
C
T
o
Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
-55 to +175  
C
J
STG  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper ESD Handling Procedures.  
File Number 3404.2  
Copyright © Harris Corporation 1995  
3-45  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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