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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.07 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 131 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 80 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 120 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RF1S4N100SM | INTERSIL |
获取价格 |
4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, N-Channel Power MOSFETs |
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| RF1S4N100SM9A | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| RF1S50N06 | ROCHESTER |
获取价格 |
50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
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| RF1S50N06LESM | INTERSIL |
获取价格 |
50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S50N06LESM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| RF1S50N06LESM9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| RF1S50N06SM | INTERSIL |
获取价格 |
50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| RF1S50N06SM | FAIRCHILD |
获取价格 |
50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S50N06SM9A | RENESAS |
获取价格 |
50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| RF1S50N06SM9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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