RF1S40N10

更新时间： 2024-01-21 06:59:45

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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6页	372K
描述
40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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RF1S40N10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	其他特性：	MEGAFET
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

RF1S40N10 数据手册

RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10,

RF1S40N10SM

Data Sheet

January 2002

40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power

MOSFETs

Features

• 40A, 100V

These are N-Channel power MOSFETs manufactured using

the MegaFET process. This process, which uses feature

sizes approaching those of LSI integrated circuits gives

optimum utilization of silicon, resulting in outstanding

performance. They were designed for use in applications

such as switching regulators, switching converters, motor

drivers, relay drivers and emitter switches for bipolar

transistors. These transistors can be operated directly from

integrated circuits.

• r

DS(ON)

= 0.040Ω

• UIS Rating Curve

• SOA is Power Dissipation Limited

• 175 C Operating Temperature

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA9846

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

RFG40N10

TO-247

RFP40N10

TO-220AB

TO-262AA

TO-263AB

RFP40N10

F1S40N10

RF1S40N10

RF1S40N10SM

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the sufﬁx, 9A,

to obtain the TO-263AB variant in tape and reel, i.e. RF1S40N10SM9A.

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

JEDEC TO-220AB

SOURCE

DRAIN

GATE

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN

(FLANGE)

DRAIN

(FLANGE)

JEDEC TO-263AB

JEDEC TO-262AA

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN

(FLANGE)

GATE

SOURCE

RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10, RF1S40N10SM Rev. C

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RF1S40N10LE	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RF1S40N10LESM	INTERSIL	获取价格	40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10LESM9A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 40A I(D) \| TO-263AB
RF1S40N10SM	FAIRCHILD	获取价格	40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10SM	INTERSIL	获取价格	40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10SM9A	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RF1S42N03LSM	INTERSIL	获取价格	42A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
RF1S42N03LSM	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RF1S42N03LSM9A	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RF1S42N03SM	RENESAS	获取价格	42A, 30V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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