Datasheet > RF1S30P06SM

RF1S30P06SM

更新时间： 2024-01-09 15:18:24

品牌	Logo	应用领域
英特矽尔 - INTERSIL		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
8页	74K
描述
30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RF1S30P06SM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
功耗环境最大值：	120 W	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	100 ns
最大开启时间（吨）：	80 ns	Base Number Matches：	1

RF1S30P06SM 数据手册

RFG30P06, RFP30P06, RF1S30P06SM

Data Sheet

July 1999

File Number 2437.3

30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power

MOSFETs

Features

• 30A, 60V

These are P-Channel power MOSFETs manufactured using

the MegaFET process. This process, which uses feature

sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum

utilization of silicon, resulting in outstanding performance.

They are designed for use in applications such as switching

regulators, switching converters, motor drivers, and relay

drivers. These transistors can be operated directly from

integrated circuits.

• r

= 0.065Ω

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• 175 C Operating Temperature

• Related Literature

Formerly developmental type TA09834.

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

RFG30P06

TO-247

RFP30P06

TO-220AB

TO-263AB

RFP30P06

F1S30P06

RF1S30P06SM

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A

to obtain the TO-263AB variant in tape and reel, i.e. RF1S30P06SM9A.

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

JEDEC TO-220AB

SOURCE

DRAIN

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN

(BOTTOM

SIDE METAL)

DRAIN

(FLANGE)

JEDEC TO-263AB

DRAIN

(FLANGE)

GATE

SOURCE

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.

4-133

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与RF1S30P06SM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RF1S30P06SM9A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB
RF1S40N10	FAIRCHILD	获取价格	40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10LE	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RF1S40N10LESM	INTERSIL	获取价格	40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10LESM9A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 40A I(D) \| TO-263AB
RF1S40N10SM	FAIRCHILD	获取价格	40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10SM	INTERSIL	获取价格	40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10SM9A	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RF1S42N03LSM	INTERSIL	获取价格	42A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
RF1S42N03LSM	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与RF1S30P06SM相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

5
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

6
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RF1S30P06SM

RF1S30P06SM 技术参数

RF1S30P06SM 数据手册

与RF1S30P06SM相关器件

与RF1S30P06SM相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RF1S30P06SM

RF1S30P06SM 技术参数

RF1S30P06SM 数据手册

与RF1S30P06SM相关器件

与RF1S30P06SM相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？