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RF1S25N06SM

更新时间： 2024-01-14 20:44:04

品牌	Logo	应用领域
英特矽尔 - INTERSIL		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
8页	110K
描述
25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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RF1S25N06SM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.19	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.047 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RF1S25N06SM 数据手册

RFP25N06, RF1S25N06SM

Data Sheet

July 1999

File Number 1492.4

25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power

MOSFETs

Features

• 25A, 60V

These N-Channel power MOSFETs are manufactured using

the MegaFET process. This process, which uses feature

sizes approaching those of LSI integrated circuits gives

optimum utilization of silicon, resulting in outstanding

performance. They were designed for use in applications

such as switching regulators, switching converters, motor

drivers, and relay drivers. These transistors can be operated

directly from integrated circuits.

• r_DS(ON)= 0.047Ω

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• 175 C Operating Temperature

• Related Literature

Formerly developmental type TA09771.

- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

RFP25N06

RF1S25N06SM

PACKAGE

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

RFP25N06

F1S25N06

NOTE: When ordering use the entire part number. Add the suffix, 9A,

to obtain the TO-263AB variant in tape and reel, e.g. RF1S25N06SM9A.

Packaging

JEDEC TO- 220AB

JEDEC TO-263AB

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN

(FLANGE)

DRAIN

(FLANGE)

GATE

SOURCE

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.

4-511

12 3 4 5 6 7 8

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RF1S25N06SM 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RF1S25N06SM	FAIRCHILD	功能相似	25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

与RF1S25N06SM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RF1S25N06SM9A	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RF1S30N06LE	HARRIS	获取价格	30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
RF1S30N06LESM	FAIRCHILD	获取价格	30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RF1S30N06LESM	HARRIS	获取价格	30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
RF1S30N06LESM	INTERSIL	获取价格	30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RF1S30P05	RENESAS	获取价格	30A, 50V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
RF1S30P05SM	INTERSIL	获取价格	30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RF1S30P05SM9A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB
RF1S30P06	INTERSIL	获取价格	30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RF1S30P06SM	INTERSIL	获取价格	30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

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