5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > RF1S30N06LESM
RF1S30N06LESM PDF预览

RF1S30N06LESM

更新时间： 2024-09-24 22:43:59
品牌 Logo 应用领域
哈里斯 - HARRIS 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

RF1S30N06LESM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.047 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：96 W
最大功率耗散 (Abs)：96 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：100 ns最大开启时间（吨）：140 ns
Base Number Matches：1

RF1S30N06LESM 数据手册

 浏览型号RF1S30N06LESM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RF1S30N06LESM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RF1S30N06LESM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RF1S30N06LESM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RF1S30N06LESM的Datasheet PDF文件第6页 
RFP30N06LE, RF1S30N06LE,  
RF1S30N06LESM  
S E M I C O N D U C T O R  
30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level  
N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs  
July 1995  
Features  
Packages  
JEDEC TO-220AB  
• 30A, 60V  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
• rDS(ON) = 0.047Ω  
• 2kV ESD Protected  
• Temperature Compensating PSPICE Model  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
DRAIN  
(FLANGE)  
JEDEC TO-262AA  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
Description  
The RFP30N06LE, RF1S30N06LE and RF1S30N06LESM  
are N-Channel power MOSFETs manufactured using the  
MegaFET process. This process, which uses feature sizes  
approaching those of LSI integrated circuits gives optimum  
utilization of silicon, resulting in outstanding performance.  
They were designed for use in applications such as switch-  
ing regulators, switching converters, motor drivers and relay  
drivers. These transistors can be operated directly from inte-  
grated circuits.  
DRAIN  
(FLANGE)  
JEDEC TO-263AB  
M
A
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
These transistors incorporate ESD protection and are  
designed to withstand 2kV (Human Body Model) of ESD.  
SOURCE  
PACKAGE AVAILABILITY  
Symbol  
PART NUMBER  
RFP30N06LE  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-262AA  
TO-263AB  
BRAND  
F30N06LE  
D
RF1S30N06LE  
1S30N06L  
1S30N06L  
RF1S30N06LESM  
G
NOTE: When ordering use the entire part number. Add suffix, 9A, to  
obtain the TO-263 variant in tape and reel i.e. RF1S30N06LESM9A.  
Formerly developmental type TA49027.  
S
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C  
C
RFP30N06LE, RF1S30N06LE,  
RF1S30N06LESM  
UNITS  
Drain Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
60  
60  
V
V
V
DSS  
Drain Gate Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V  
DGR  
Gate Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V  
Drain Current  
+10, -8  
GS  
RMS Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
30  
A
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Refer to Peak Current Curve  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E  
Refer to UIS Curve  
AS  
Power Dissipation  
o
T
= +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P  
96  
0.645  
W
W/ C  
C
D
o
o
Derate above +25 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Electrostatic Discharge Rating, MIL-STD-883, Category B(2) . . . . . . . . . . . . . . . ESD  
2
kV  
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
, T  
-55 to +175  
260  
C
STG  
J
o
Soldering Temperature of Leads for 10s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
C
L
Copyright © Harris Corporation 1995  
File Number 3629.1  
5-45  
123456

中文翻译

下载PDF

RF1S30N06LESM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RF1S30N06LESM FAIRCHILD

功能相似

 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs

与RF1S30N06LESM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RF1S30P05 RENESAS

获取价格

 		30A, 50V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
RF1S30P05SM INTERSIL

获取价格

 		30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RF1S30P05SM9A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
RF1S30P06 INTERSIL

获取价格

 		30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RF1S30P06SM INTERSIL

获取价格

 		30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RF1S30P06SM9A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
RF1S40N10 FAIRCHILD

获取价格

 		40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10LE FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RF1S40N10LESM INTERSIL

获取价格

 		40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10LESM9A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB

与RF1S30N06LESM相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证