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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.15 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.047 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 96 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 96 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 100 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 140 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| RF1S30N06LESM | INTERSIL |
功能相似  |
30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S30N06LESM | HARRIS |
功能相似 |
30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RF1S30P05 | RENESAS |
获取价格 |
30A, 50V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
|
| RF1S30P05SM | INTERSIL |
获取价格 |
30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S30P05SM9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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| RF1S30P06 | INTERSIL |
获取价格 |
30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S30P06SM | INTERSIL |
获取价格 |
30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S30P06SM9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
|
| RF1S40N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S40N10LE | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| RF1S40N10LESM | INTERSIL |
获取价格 |
40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
|
| RF1S40N10LESM9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
|
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