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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.2 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A | 最大漏极电流 (ID)： | 22 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RF1S22N10SM9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| RF1S23N06LE | RENESAS |
获取价格 |
23A, 60V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
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| RF1S23N06LESM | RENESAS |
获取价格 |
23A, 60V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| RF1S23N06LESM96 | RENESAS |
获取价格 |
RF1S23N06LESM96 |
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| RF1S23N06LESM9A | RENESAS |
获取价格 |
23A, 60V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| RF1S25N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| RF1S25N06SM | FAIRCHILD |
获取价格 |
25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| RF1S25N06SM | INTERSIL |
获取价格 |
25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| RF1S25N06SM9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| RF1S30N06LE | HARRIS |
获取价格 |
30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs |
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