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RF1K49156

更新时间： 2024-02-13 05:57:43

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英特矽尔 - INTERSIL		/
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8页	146K
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6.3A, 30V, 0.030 Ohm, Logic Level, Single N-Channel LittleFET Power MOSFET

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RF1K49156 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.24	其他特性：	MEGAFET
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.3 A	最大漏极电流 (ID)：	6.3 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RF1K49156 数据手册

RF1K49156

Data Sheet

August 1999

File Number 4011.3

6.3A, 30V, 0.030 Ohm, Logic Level, Single

N-Channel LittleFET™ Power MOSFET

Features

• 6.3A, 30V

• r = 0.030Ω

This Single N-Channel power MOSFET is manufactured

using an advanced MegaFET process. This process, which

uses feature sizes approaching those of LSI integrated

circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in

outstanding performance. It was designed for use in

applications such as switching regulators, switching

converters, motor drivers, relay drivers, and low voltage bus

switches. This product achieves full rated conduction at a

gate bias in the 3V - 5V range, thereby facilitating true on-off

power control directly from logic level (5V) integrated circuits.

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• On-Resistance vs Gate Drive Voltage Curves

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA49156.

Symbol

Ordering Information

NC (1)

DRAIN (8)

DRAIN (7)

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

RF1K49156

MS-012AA

SOURCE (2)

NOTE: When ordering, use the entire part number. For ordering in tape

and reel, add the suffix 96 to the part number, i.e., RF1K4915696.

SOURCE (3)

GATE (4)

DRAIN (6)

DRAIN (5)

Packaging

JEDEC MS-012AA

BRANDING DASH

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow properS ESD Handling Procedures.

LittleFET™ is a trademark of Intersil Corporation. PSPICE™ is a registered trademark of MicroSim Corporation.

8-115

12 3 4 5 6 7 8

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RF1K49156 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF7353D2TR	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
RF1K49156	FAIRCHILD	功能相似	6.3A, 30V, 0.030 Ohm, Logic Level, Single N-Channel LittleFET Power MOSFET

与RF1K49156相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RF1K4915696	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 6.3A I(D) \| SO
RF1K49157	INTERSIL	获取价格	6.3A, 30V, 0.030 Ohm, Single N-Channel Little
RF1K49157	FAIRCHILD	获取价格	6.3A, 30V, Avalanche Rated, Single N-Channel
RF1K4915796	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 6.3A I(D) \| SO
RF1K49211	INTERSIL	获取价格	7A, 12V, 0.020 Ohm, Logic Level, Single N-Cha
RF1K49211	RENESAS	获取价格	7A, 12V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
RF1K49211	FAIRCHILD	获取价格	7A, 12V, 0.020 Ohm, Logic Level, Single N-Cha
RF1K4921196	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 12V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| SO
RF1K49221	INTERSIL	获取价格	2.5A, 60V, 0.130 Ohm, ESD Rated, Dual N-Chann
RF1K4922196	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| SO

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