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RF1K49211

更新时间： 2024-09-24 20:29:59

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	133K
描述
7A, 12V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA

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RF1K49211 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RF1K49211 数据手册

RF1K49211

Data Sheet

August 1999

File Number 4303.1

7A, 12V, 0.020 Ohm, Logic Level, Single

N-Channel LittleFET™ Power MOSFET

Features

• 7A, 12V

• r = 0.020Ω

The RF1K49211 Single N-Channel power MOSFET is

manufactured using an advanced MegaFET process. This

process, which uses feature sizes approaching those of LSI

integrated circuits, gives optimum utilization of silicon,

resulting in outstanding performance. It was designed for

use in applications such as switching regulators, switching

converters, motor drivers, relay drivers, and low-voltage bus

switches. This product achieves full-rated conduction at a

gate bias in the 3V - 5V range, thereby facilitating true on-off

power control directly from logic level (5V) integrated circuits.

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Symbol

Formerly developmental type TA49211.

Ordering Information

NC(1)

DRAIN(8)

DRAIN(7)

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

RF1K49211

MS-012AA

SOURCE(2)

NOTE: When ordering, use the entire part number. For ordering in

tape and reel, add the suffix 96 to the part number, i.e., RF1K4921196.

SOURCE(3)

GATE(4)

DRAIN(6)

DRAIN(5)

Packaging

JEDEC MS-012AA

BRANDING DASH

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

LittleFET™ is a trademark of Intersil Corporation. PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.

8-129

12 3 4 5 6 7

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与RF1K49211相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RF1K4921196	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 12V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| SO
RF1K49221	INTERSIL	获取价格	2.5A, 60V, 0.130 Ohm, ESD Rated, Dual N-Chann
RF1K4922196	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| SO
RF1K49223	FAIRCHILD	获取价格	2.5A, 30V, 0.150 Ohm, Dual P-Channel LittleFE
RF1K49223	INTERSIL	获取价格	2.5A, 30V, 0.150 Ohm, Dual P-Channel LittleFE
RF1K4922396	FAIRCHILD	获取价格	2.5A, 30V, 0.150 Ohm, Dual P-Channel LittleFE
RF1K4922396	RENESAS	获取价格	2.5A, 30V, 0.36ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
RF1K49224	INTERSIL	获取价格	3.5A/2.5A, 30V, 0.060/0.150 Ohms, Complementa
RF1K4922496	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 30V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| SO
RF1S0CA137KFT	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 137000ohm, 350V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 391

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