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RF1K49224

更新时间： 2024-01-22 09:35:55

品牌	Logo	应用领域
英特矽尔 - INTERSIL		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	227K
描述
3.5A/2.5A, 30V, 0.060/0.150 Ohms, Complementary LittleFET⑩ Power MOSFET

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RF1K49224 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.132 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RF1K49224 数据手册

RF1K49224

Data Sheet

August 1999

File Number 4330.1

3.5A/2.5A, 30V, 0.060/0.150 Ohms,

Complementary LittleFET™ Power

MOSFET

Features

• 3.5A, 30V (N-Channel)

2.5A, 30V (P-Channel)

The RF1K49224 complementary power MOSFET is

manufactured using an advanced MegaFET process. This

process, which uses feature sizes approaching those of LSI

integrated circuits, gives optimum utilization of silicon,

resulting in outstanding performance. It is designed for use

in applications such as switching regulators, switching

converters, motor drivers, relay drivers, and low voltage bus

switches. This device can be operated directly from

intergrated circuits.

• r

= 0.060Ω (N-Channel)

= 0.150Ω (P-Channel)

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Thermal Impedance PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA49224.

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

RF1K49224

D1(8)

D1(7)

RF1K49224

MS-012AA

NOTE: When ordering, use the entire part number. For ordering in

tape and reel, add the suffix 96 to the part number, i.e. RF1K4922496.

S1(1)

G1(2)

D2(6)

D2(5)

S2(3)

G2(4)

Packaging

JEDEC MS-012AA

BRANDING DASH

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

LittleFET™ is a trademark of Intersil Corporation. PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.

9-16

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RF1K4922496	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 30V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| SO
RF1S0CA137KFT	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 137000ohm, 350V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 391
RF1S0CA16R5F	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 16.5ohm, 350V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 3916,
RF1S0CA1R10JT	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 1.1ohm, 350V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 3916,
RF1S0CA357RF	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 357ohm, 350V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 3916,
RF1S0CA680RJ	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 680ohm, 350V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 3916,
RF1S15N06SM	RENESAS	获取价格	15A, 60V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
RF1S15N06SM9A	RENESAS	获取价格	15A, 60V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
RF1S15N08L9A	RENESAS	获取价格	45A, 80V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
RF1S17N06LSM	RENESAS	获取价格	17A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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