RF1K49157

更新时间： 2024-09-23 22:31:19

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
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7页	212K
描述
6.3A, 30V, Avalanche Rated, Single N-Channel LittleFET⑩ Enhancement Mode Power MOSFET

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RF1K49157 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.3 A	最大漏极电流 (ID)：	6.3 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RF1K49157 数据手册

S E M I C O N D U C T O R

RF1K49157

6.3A, 30V, Avalanche Rated, Single N-Channel

LittleFET™ Enhancement Mode Power MOSFET

January 1997

Features

Description

• 6.3A, 30V

The RF1K49157 Single N-Channel power MOSFET is

manufactured using an advanced MegaFET process. This

process, which uses feature sizes approaching those of LSI

integrated circuits, gives optimum utilization of silicon,

resulting in outstanding performance. It was designed for

use in applications such as switching regulators, switching

converters, motor drivers, relay drivers, and low voltage bus

switches. This device can be operated directly from

integrated circuits.

• r

DS(ON)

= 0.030Ω

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

Ordering Information

Formerly developmental type TA49157.

PART NUMBER

PACKAGE

MS-012AA

BRAND

RF1K49157

Symbol

NOTE: When ordering, use the entire part number. For ordering in tape

and reel, add the sufﬁx 96 to the part number, i.e., RF1K4915796.

NC (1)

DRAIN (8)

DRAIN (7)

SOURCE (2)

SOURCE (3)

GATE (4)

DRAIN (6)

DRAIN (5)

Packaging

JEDEC MS-012AA

BRANDING DASH

LittleFET™ is a trademerk of Harris Corporation

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper ESD Handling Procedures.

File Number 4012.4

5-64

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RF1K4915796	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 6.3A I(D) \| SO
RF1K49211	INTERSIL	获取价格	7A, 12V, 0.020 Ohm, Logic Level, Single N-Cha
RF1K49211	RENESAS	获取价格	7A, 12V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
RF1K49211	FAIRCHILD	获取价格	7A, 12V, 0.020 Ohm, Logic Level, Single N-Cha
RF1K4921196	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 12V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| SO
RF1K49221	INTERSIL	获取价格	2.5A, 60V, 0.130 Ohm, ESD Rated, Dual N-Chann
RF1K4922196	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| SO
RF1K49223	FAIRCHILD	获取价格	2.5A, 30V, 0.150 Ohm, Dual P-Channel LittleFE
RF1K49223	INTERSIL	获取价格	2.5A, 30V, 0.150 Ohm, Dual P-Channel LittleFE
RF1K4922396	FAIRCHILD	获取价格	2.5A, 30V, 0.150 Ohm, Dual P-Channel LittleFE

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