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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> RB751S40T1
RB751S40T1 PDF预览

RB751S40T1

更新时间： 2024-11-20 03:37:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB751S40T1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.47
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.37 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.03 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

RB751S40T1 数据手册

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RB751S40T1  
Schottky Barrier Diode  
These Schottky barrier diodes are designed for high−speed  
switching applications, circuit protection, and voltage clamping.  
Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature  
surface mount package is excellent for hand−held and portable  
applications where space is limited.  
http://onsemi.com  
Features  
• Extremely Fast Switching Speed  
40 V SCHOTTKY  
BARRIER DIODE  
• Extremely Low Forward Voltage − 0.28 V (Typ) @ I = 1.0 mAdc  
F
• Low Reverse Current  
• Lead−Free Plating  
• Pb−Free Package is Available  
1
CATHODE  
2
ANODE  
2
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
SOD−523  
CASE 502  
PLASTIC  
Peak Reverse Voltage  
V
RM  
Reverse Voltage  
V
30  
V
R
Forward Continuous Current (DC)  
Peak Forward Surge Current  
I
30  
mA  
mA  
F
MARKING DIAGRAM  
I
500  
FSM  
ESD Rating: Class 1C per Human Body Model  
Class A per Machine Model  
5E MG  
G
1
2
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
5E = Specific Device Code  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
200  
mW  
ORDERING INFORMATION  
D
(Note 1) T = 25°C  
A
†
Device  
Package  
Shipping  
Derate above 25°C  
1.57  
635  
mW/°C  
°C/W  
RB751S40T1  
SOD−523  
4000/Tape & Reel  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
RB751S40T1G SOD−523  
(Pb−Free)  
4000/Tape & Reel  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
°C  
stg  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
1. FR−5 Minimum Pad.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 3  
RB751S40T1/D  
 
1234

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RB751S40T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RB751S40T5G ONSEMI

完全替代

 30 mA, 30 V, Schottky Barrier Diode
RB751S40T1G ONSEMI

类似代替

 Schottky Barrier Diode

与RB751S40T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RB751S-40-T1 WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
RB751S40T1/D ETC

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 		RB751S40T1
RB751S40T1G ONSEMI

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 		Schottky Barrier Diode
RB751S40T5 ONSEMI

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 		DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, MINIATURE, PLASTIC, CASE 502-01, 2 PIN, Signal Diode
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC
RB751S-40V RECTRON

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 		Reverse Voltage Vr : 40 V;Forward Current Io : 0.03 A;Max Surge Current : 0.2 A;Forward Vo
RB751S40X PANJIT

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES

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