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RB520ZS-30_1

更新时间： 2024-02-16 19:35:30

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RB520ZS-30_1 数据手册

RB520ZS-30

Diodes

Schottky Barrier Diode

RB520ZS-30

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

General rectification

zFeatures

1) Ultra small mold type.(GMD2)

2) Low I^R

Ａ

0～0.03

3) High reliability

ROHM : GMD2

JEDEC : -

JEITA : -

0.27±0.03

0.3±0.05

0.3±0.03

dot(year week factory)

zConstruction

zLand size figure (Unit : mm)

Silicon epitaxial planar

zStructure

0.31

GMD2

zTaping dimensions (Unit : mm)

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

Limits

Symbol

V_R

Unit

100

500

I_FSM

℃

150

Storage temperature

-40 to +150

Tstg

℃

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

I_F=10mA

V_R=10V

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

0.46

0.3

µA

Rev.C

1/3

12 3 4

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