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RB521CS-30

更新时间： 2024-09-25 14:52:55

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先科 - SWST		肖特基二极管
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描述
肖特基二极管

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RB521CS-30 数据手册

RB521CS-30

Silicon Epitaxial Planar Schottky Barrier Diode

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Features

• Ultra small power mold type

• Low V_F

Anode

• High reliability

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2B and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_R

Value

Unit

Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

Peak Forward Surge Current (60 Hz for 1 cyc.)

Junction Temperature

I_F(AV)

I_FSM

T_j

100

0.5

150

℃

T_stg

- 40 to + 150

Storage Temperature Range

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_(BR)R

V_F

Min.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

0.35

at I_R= 150 μA

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

Reverse Current

at V_R= 10 V

I_R

µA

1 / 3

Dated: 07/04/2022 Rev: 04

12 3

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